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美光首创LPDDR5内存+UFS闪存二合一:最高12+256GB

今年3月首次公开之后,美光今天宣布,全新的“uMCP5”已经做好了大规模量产的准备。

美光uMCP5在全球首次通过MCP多芯片封装的方式,将LPDDR5内存、UFS闪存整合在一颗芯片内,可大大提升智能手机的存储密度,节省内部空间、成本、功耗。

美光首创LPDDR5内存+UFS闪存二合一:最高12+256GB

据悉,美光在单颗芯片内,集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND闪存芯片、UFS 3.1控制器,TFBGA封装格式,电压1.8V,工作温度从-25℃到+85℃。

其中内存部分,LPDDR5的数据传输率最高达6400Mbps,相比于LPDDR4速度提升多达50%,同时能效也提升了几乎20%。

美光首创LPDDR5内存+UFS闪存二合一:最高12+256GB

闪存部分,UFS 3.1相比于UFS 2.1功耗节省了约20%,持续读取速度翻番,持续下载速度加快20%,可靠性也提升了约66%,编程/擦写循环次数达到5000次。

美光uMCP5提供四种容量组合,分别为8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。

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